摘要：使用射頻磁控濺射,以高純度碳靶材和高純度甲烷為碳源,在不同射頻功率下制備了類金剛石(DLC)薄膜。利用掃描電鏡、傅里葉變換紅外光譜儀和顯微硬度計測試了薄膜的結(jié)構(gòu)與性能。研究結(jié)果表明:制備的薄膜致密均勻,隨著射頻功率的增大薄膜生長速度增大,C原子含量增大;在200W功率制備的薄膜sp~3含量高,其分子結(jié)構(gòu)與性能也就更偏向于金剛石,薄膜維氏硬度達(dá)到1038.26 MPa。同時發(fā)現(xiàn),隨制備功率的增加,DLC薄膜硬度呈先增大再減小的趨勢,薄膜石墨化程度增大。
注：因版權(quán)方要求，不能公開全文，如需全文，請咨詢雜志社
