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射頻功率對DLC薄膜結(jié)構(gòu)和力學(xué)性能的影響

摘要:使用射頻磁控濺射,以高純度碳靶材和高純度甲烷為碳源,在不同射頻功率下制備了類金剛石(DLC)薄膜。利用掃描電鏡、傅里葉變換紅外光譜儀和顯微硬度計測試了薄膜的結(jié)構(gòu)與性能。研究結(jié)果表明:制備的薄膜致密均勻,隨著射頻功率的增大薄膜生長速度增大,C原子含量增大;在200W功率制備的薄膜sp~3含量高,其分子結(jié)構(gòu)與性能也就更偏向于金剛石,薄膜維氏硬度達到1038.26 MPa。同時發(fā)現(xiàn),隨制備功率的增加,DLC薄膜硬度呈先增大再減小的趨勢,薄膜石墨化程度增大。

關(guān)鍵詞:
  • dlc薄膜  
  • 射頻磁控濺射  
  • 射頻功率  
  • 鍵合結(jié)構(gòu)  
  • 硬度  
作者:
伍醒; 蔣愛華; 程勇
單位:
桂林理工大學(xué)理學(xué)院; 廣西桂林541004
刊名:
真空

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期刊名稱:真空

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