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摘要：金屬納米線是未來(lái)納米電子器件中的重要組成部分,因此研究單根金屬納米線的電學(xué)性質(zhì)具有重要的意義。相對(duì)于單根納米線電學(xué)性質(zhì)的移位測(cè)量,原位測(cè)量精確度更高,結(jié)果更可靠。目前,國(guó)際上用于原位電學(xué)性質(zhì)測(cè)量的單根納米線的最小直徑為80 nm,更小直徑的納米線很難在納米孔道中生長(zhǎng),其電化學(xué)生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)過(guò)程還不清楚,電阻率數(shù)據(jù)缺失。本文在單個(gè)蝕刻離子徑跡孔道中利用電化學(xué)沉積技術(shù)成功生長(zhǎng)了單根Cu納米線,其直徑僅為64 nm,為目前同方法最細(xì)。在此基礎(chǔ)上,首次測(cè)量了該納米線的電輸運(yùn)性質(zhì)并獲得了其電阻率數(shù)值。研究結(jié)果表明,利用電導(dǎo)法可以監(jiān)測(cè)模板中單個(gè)孔道的形成和擴(kuò)孔的動(dòng)力學(xué)過(guò)程以及最終的孔徑大小。電化學(xué)沉積時(shí),沉積電流與沉積時(shí)間曲線清晰地揭示了納米線的沉積動(dòng)力學(xué)過(guò)程。Ⅰ-Ⅴ曲線研究顯示Cu納米線具有典型的金屬特性。其電阻率為3.46μΩ·cm,約是Cu塊體材料電阻率的兩倍。電阻率增大可能與電子在晶界和表面處的散射有關(guān)。