摘要：隨著國內高通量中子源及中子散射譜儀的快速發(fā)展,對高探測效率、高位置分辨、低伽瑪靈敏度的位置靈敏型熱中子探測器需求日益迫切。目前國際上中子散射譜儀大多數(shù)采用了基于3He的熱中子探測器,由于當前3He價格昂貴,尋求3He替代型熱中子探測器的相關研究任務緊迫。提出了一種基于10B4C轉換體的多層多絲正比室新型二維位置靈敏型熱中子探測器,并利用蒙特卡羅模擬軟件Geant4和Garfield++對其探測效率、位置分辨、n/γ抑制比等性能展開了詳細的模擬研究。結果表明,當多絲正比室單元為40層,閾值為200 keV時,熱中子(E=0.025 eV)探測效率可達到~54%,位置分辨為2.6 mm (FWHM),n/γ抑制比為~10^7,可以滿足大多數(shù)中子散射譜儀的需求,為此類探測器設計及實驗研究提供了理論依據(jù)。
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