摘要：針對(duì)目前薄膜體聲波諧振器(FBAR)調(diào)諧范圍小的問題,提出了一種新型電調(diào)FBAR結(jié)構(gòu),在傳統(tǒng)FBAR的壓電薄膜和底電極之間引入一層n型摻雜AlN半導(dǎo)體(n-AlN)薄膜。利用COMSOLMultiphysics對(duì)新型FBAR進(jìn)行建模仿真計(jì)算,得到其諧振頻率為1.92GHz,阻抗特性曲線中存在寄生諧振峰,通過調(diào)整頂電極厚度進(jìn)行優(yōu)化,結(jié)果表明,當(dāng)頂電極厚為0.1μm時(shí),寄生諧振峰消失,此時(shí)器件諧振頻率為1.976GHz,且頂電極厚度調(diào)整后器件整體性能有較大提升。對(duì)優(yōu)化后的新型FBAR進(jìn)行電調(diào)仿真分析,得到其調(diào)諧量為600kHz/V,比傳統(tǒng)FBAR的150kHz/V有很大的提高,另外,仿真結(jié)果顯示,諧振頻率與外加調(diào)諧電壓呈指數(shù)正相關(guān)。
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