摘要：基于硅基MEMS工藝的寬帶射頻收發(fā)微系統(tǒng)在實現(xiàn)武器裝備小型化的過程中具有十分重要的意義。將GaAs多功能芯片、MEMS濾波器等多種工藝制成的射頻器件集成到硅晶圓上,利用TSV及晶圓級鍵合工藝實現(xiàn)一個X頻段的射頻前端。射頻前端包括收發(fā)兩部分功能,利用它可以實現(xiàn)零中頻變頻功能及數(shù)控衰減功能。其三維結(jié)構(gòu)尺寸為25mm×18mm×1mm,僅為分立器件搭建的射頻前端的1/8。測試結(jié)果表明,接收部分在通帶內(nèi)增益大于35dB,噪聲系數(shù)小于6dB,1dB壓縮點大于0dBm;發(fā)射部分在通帶內(nèi)增益大于9dB。與分立器件搭建的X頻段射頻前端相比,基于硅基MEMS工藝的射頻前端在輸出信號IQ一致性上有很大程度的提高,且樣品各性能指標符合設(shè)計預期,驗證了設(shè)計的正確性和可行性。
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