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CCD及CMOS圖像傳感器的質(zhì)子位移損傷等效分析

摘要：對(duì)位移損傷敏感器件CCD及CMOS圖像傳感器進(jìn)行了3,10,23MeV質(zhì)子輻照試驗(yàn),獲得了電荷轉(zhuǎn)移效率及暗電流退化程度分別隨非電離能量損失(NIEL)變化的線性關(guān)系,驗(yàn)證了基于NIEL的位移損傷等效方法的可行性。為準(zhǔn)確預(yù)測(cè)抗輻射加固工程中,器件屏蔽結(jié)構(gòu)帶來(lái)的能量崎離、次級(jí)粒子等非理想因素對(duì)器件參數(shù)退化的影響,利用Geant4計(jì)算了不同質(zhì)子能量下的NIEL值。結(jié)果表明,隨著質(zhì)子能量降低,計(jì)算得到的NIEL值與解析法給出的理想NIEL值的差異增大。因此,對(duì)于結(jié)構(gòu)復(fù)雜的器件,有必要建立器件結(jié)構(gòu)模型,以便準(zhǔn)確計(jì)算NIEL。

關(guān)鍵詞：
  • 位移損傷效應(yīng)  
  • 非電離能量損失  
  • ccd  
  • cmos  
作者：
于新; 荀明珠; 郭旗; 何承發(fā); 李豫東; 文林; 張興堯; 周東
單位：
中國(guó)科學(xué)院特殊環(huán)境功能材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 烏魯木齊830011; 中國(guó)科學(xué)院新疆理化技術(shù)研究所; 烏魯木齊830011; 新疆電子信息材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 烏魯木齊830011
刊名：
現(xiàn)代應(yīng)用物理

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現(xiàn)代應(yīng)用物理雜志緊跟學(xué)術(shù)前沿，緊貼讀者，國(guó)內(nèi)刊號(hào)為：61-1491/O4。堅(jiān)持指導(dǎo)性與實(shí)用性相結(jié)合的原則，創(chuàng)辦于2010年，雜志在全國(guó)同類期刊中發(fā)行數(shù)量名列前茅。