摘要：為研究累積總劑量輻照對SRAM瞬時劑量率翻轉效應的影響,選取特征尺寸為 180 nm 的商用SRAM在 60 Co γ輻射源及“強光一號”加速器上進行了累積總劑量效應與瞬時劑量率效應的實驗研究。實驗結果表明,在累積總吸收劑量分別為100 krad(Si)和150 krad(Si)時, 180 nm SRAM瞬時劑量率翻轉對累積總劑量輻照實驗過程中的寫入數(shù)據(jù)都表現(xiàn)出“反印記效應”依賴性,即當SRAM芯片在累積總劑量輻照實驗中與瞬時劑量率輻照實驗中寫入的數(shù)據(jù)類型相同時,該數(shù)據(jù)類型的瞬時劑量率敏感性增大,更容易發(fā)生翻轉。
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