摘要：為了使CMP拋光精度更為精確，根據(jù)光學(xué)干涉原理設(shè)計(jì)了單點(diǎn)光學(xué)終點(diǎn)檢測(cè)裝置，給出了整套檢測(cè)系統(tǒng)的簡(jiǎn)圖和處理流程。在理想條件下，仿真單點(diǎn)光學(xué)檢測(cè)的相干相位及反射率跡線，得出反射率跡線與拋光掉的透明層存在著函數(shù)關(guān)系，在實(shí)際條件核實(shí)了二者之間映射情況。采用九點(diǎn)測(cè)量后確認(rèn)此函數(shù)條件下的單點(diǎn)光學(xué)終點(diǎn)檢測(cè)具備高度的精確性，在此基礎(chǔ)上推測(cè)了拋光頭吸附晶圓以設(shè)定頻率擺動(dòng)情況下，光學(xué)傳感器采集與處理數(shù)據(jù)的方法和過程。實(shí)際工藝操作證明，在綜合運(yùn)動(dòng)條件下，其精度也達(dá)到要求。
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