摘要：利用直流脈沖磁控濺射方法在玻璃襯底上制備太陽電池背接觸Mo薄膜。通過臺階儀、四探針電阻儀、X射線衍射儀、紫外-可見分光光度計(jì)等研究了Ar氣壓強(qiáng)對薄膜結(jié)構(gòu)及光電性能的影響，結(jié)果表明，在低的Ar氣壓強(qiáng)下制備的Mo薄膜晶粒尺寸較大，薄膜結(jié)晶質(zhì)量好，薄膜具有優(yōu)良的光電性能，Ar氣壓強(qiáng)的增加將導(dǎo)致薄膜的晶粒尺寸減小，薄膜結(jié)晶質(zhì)量差，結(jié)構(gòu)疏松，從而降低薄膜的光電性能。Ar氣壓強(qiáng)為0．4Pa時(shí)制備薄膜的晶粒尺寸為21．02nm，電阻率最低，為14μΩ·cm，波長190nm～850nm范圍內(nèi)的平均反射率可達(dá)到66．94％。
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