摘要:采用高溫固相法制備磷灰石型硅酸鑭陶瓷La9.4Ba0.6Si6-xInxO27-δ(x=0,0.1,0.2,0.3,0.4)。采用XRD、SEM和拉曼光譜等測(cè)試分析手段表征了La9.4Ba0.6Si6-xInxO27-δ固體電解質(zhì)摻雜體系的相組成和微觀形貌特征;采用交流阻抗譜測(cè)試研究了La9.4Ba0.6Si6-xInxO27-δ摻雜體系在不同溫度下的電導(dǎo)率變化規(guī)律。研究發(fā)現(xiàn),所有La9.4Ba0.6Si6-xInxO27-δ陶瓷試樣的結(jié)晶度良好且均具有氧基磷灰石結(jié)構(gòu);僅在La位摻雜Ba^2+時(shí),La9.4Ba0.6Si6O27-δ試樣晶粒形貌不規(guī)則,In^3+摻雜后晶粒呈等軸狀均勻生長(zhǎng)。各個(gè)試樣的總電導(dǎo)率與測(cè)試溫度之間符合Arrhenius關(guān)系。In3+最佳摻雜量x為0.2,此時(shí)La9.4Ba0.6Si5.8In0.2O27-δ陶瓷具有最高的電導(dǎo)率,其電導(dǎo)率(1073K)、活化能和指前因子分別為5.08×10^-3S/cm、0.86eV和2.91×10^11S·K/cm。
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