摘要：為改善多晶硅片在管式PECVD設(shè)備中的鍍膜均勻性,主要從鍍膜工藝參數(shù)的設(shè)定、硅片制絨面反射率及石墨舟狀態(tài)這3個方面進行了鍍膜均勻性研究。結(jié)果表明:在保證良率的前提下,當(dāng)外層壓力為1700 mTorr、內(nèi)層氮硅比為4.487、射頻功率為7600 W時,調(diào)節(jié)直接鏈接變量(DLV)優(yōu)化石墨舟各區(qū)溫度且定期清理腔體內(nèi)部的碎片可改善鍍膜均勻性;在一定范圍內(nèi),制絨面反射率增加,片內(nèi)均勻性更優(yōu);新石墨舟對鍍膜均勻性有明顯改善,在使用周期內(nèi),運行30次時均勻性達到最優(yōu)。
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