亚洲成色777777女色窝,777亚洲妇女,色吧亚洲日本,亚洲少妇视频

摘要：基于憶阻器在電路中具有記憶的特性,借助于PSPICE軟件進行憶阻器模型以及基于憶阻器的突觸電路的建立與仿真。利用磁控濺射方法在Si襯底上制備NiO憶阻器實物。電學(xué)測試結(jié)果發(fā)現(xiàn),該憶阻器的電阻隨著電壓的變化而變化,得到了典型的V-I滯回特性曲線。將NiO憶阻器實物連接到突觸的硬件電路中,實物測試結(jié)果顯示出與基于憶阻器的突觸仿真電路同樣的LTP效應(yīng)和LTD效應(yīng),進一步證實該硬件電路中存在突觸可塑性。