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摘要：為了提高光提取效率,分析在GaN發(fā)光二極管(LED)結(jié)構(gòu)中的光波矢傳播模型,并分析Ag光子晶體的表面等離激元和能帶結(jié)構(gòu);同時模擬未覆蓋和覆蓋Ag光子晶體的GaN-LED結(jié)構(gòu)的發(fā)光,通過改變Ag光子晶體直徑、周期和入射光的角度,分析不同晶格方向的GaN-LED的光提取效率。結(jié)果表明:當Ag光子晶體的周期為800 nm、直徑為70 nm時,GaN-LED的總透射率達到最大值,光提取效率提高了34.43%。