摘要:通過(guò)溶膠凝膠的方法,在FTO襯底上制備得到SnO2薄膜,并對(duì)SnO2薄膜的晶體結(jié)構(gòu)以及熒光光譜(PL)進(jìn)行了研究。XRD結(jié)果顯示SnO2薄膜為多晶結(jié)構(gòu),熒光光譜結(jié)果表明SnO2薄膜存在氧空位以及氧填隙等缺陷。通過(guò)直流磁控濺射在SnO2薄膜上面濺射Al作為頂電極,并對(duì)Al/SnO2/FTO結(jié)構(gòu)進(jìn)行了電阻開關(guān)性質(zhì)研究,測(cè)試結(jié)果表明器件具有雙極型電阻開關(guān)性質(zhì)和良好的阻態(tài)保持特性。對(duì)器件的電流-電壓曲線特征進(jìn)行了研究,認(rèn)為SnO2薄膜內(nèi)氧離子(氧空位)在電場(chǎng)作用下發(fā)生遷移,在Al/SnO2界面發(fā)生氧化還原反應(yīng)是引起Al/SnO2/FTO電阻狀態(tài)改變的原因。
注:因版權(quán)方要求,不能公開全文,如需全文,請(qǐng)咨詢雜志社