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Ga沉積量對形成Al Ga As表面納米結(jié)構(gòu)的影響

摘要:利用液滴外延技術(shù)在Al0. 4Ga0. 6As表面制備了納米結(jié)構(gòu)并用原子力顯微鏡進(jìn)行表征,發(fā)現(xiàn)納米結(jié)構(gòu)的密度隨金屬Ga沉積量的增加呈先增加后減小再增加的趨勢。這種密度異常變化的現(xiàn)象,主要是由于液滴之間相互擴(kuò)散并最終形成連續(xù)的平坦層,隨著沉積量的繼續(xù)增加,新吸附的Ga原子在平坦層上面形成新的Ga液滴,從而導(dǎo)致了密度的降低。此外,納米結(jié)構(gòu)的孔深、孔徑、環(huán)高和盤徑幾何特征尺寸隨著沉積量的增加而增加,且在表面[1-10]和[110]兩個方向上納米結(jié)構(gòu)中的量子環(huán)以及盤狀結(jié)構(gòu)的形貌特征呈現(xiàn)各向異性。

關(guān)鍵詞:
  • 液滴外延  
  • al  
  • ga  
  • as  
  • 量子環(huán)  
  • 盤狀結(jié)構(gòu)  
  • 納米孔  
作者:
黃延彬; 丁召; 馬明明; 王一; 羅子江; 李志宏; 郭祥
單位:
貴州大學(xué)大數(shù)據(jù)與信息工程學(xué)院; 貴陽550025; 貴州省微納電子與軟件技術(shù)重點實驗室; 貴陽550025; 半導(dǎo)體功率器件可靠性教育部工程研究中心; 貴陽550025; 貴州財經(jīng)大學(xué)信息學(xué)院; 貴陽550025
刊名:
人工晶體學(xué)報

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期刊名稱:人工晶體學(xué)報

人工晶體學(xué)報緊跟學(xué)術(shù)前沿,緊貼讀者,國內(nèi)刊號為:11-2637/O7。堅持指導(dǎo)性與實用性相結(jié)合的原則,創(chuàng)辦于1972年,雜志在全國同類期刊中發(fā)行數(shù)量名列前茅。