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Se摻雜Bi2Te3電子結構第一性原理研究

摘要:碲化鉍(Bi2Te3)是一種常見的熱電材料。本文研究了硒(Se)摻雜對Bi2Te3電子結構的影響。本文從Bi2Te3的晶格結構出發(fā),利用第一性原理對Se摻雜Bi2Te3所得的Bi2Te3-xSex(x=0,1,2,3)四種材料進行晶格結構優(yōu)化,并計算它們的能帶和態(tài)密度。我們發(fā)現自旋軌道耦合作用對Bi2Te3電子結構的影響非常大,另外還發(fā)現Se摻雜會使Bi2Te3能帶發(fā)生劈裂,使得費米能附近態(tài)密度增加。

關鍵詞:
  • 第一性原理  
  • 熱電材料  
  • 碲化鉍化合物  
作者:
鄒彥娟; 張小龍
單位:
萍鄉(xiāng)學院機械電子工程學院; 江西萍鄉(xiāng)337000
刊名:
萍鄉(xiāng)學院學報

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萍鄉(xiāng)學院學報緊跟學術前沿,緊貼讀者,國內刊號為:36-1339/G4。堅持指導性與實用性相結合的原則,創(chuàng)辦于1984年,雜志在全國同類期刊中發(fā)行數量名列前茅。