摘要：基于TSMC 0.18μm RFCMOS工藝,設計了一款應用于P波段和L波段(405 M-2.2 GHz)的全集成射頻發(fā)射前端芯片.系統(tǒng)由單轉雙巴倫、混頻器、可變增益放大器和驅動放大器組成,系統(tǒng)架構基于改進的直接上變頻方案.基帶和本振端口的巴倫采用了一種能夠同時實現(xiàn)噪聲和非線性消除及寬帶阻抗匹配的結構,混頻器使用了正交雙平衡基爾伯特結構,可變增益放大器基于跨導可變的共源共柵結構進行設計,驅動放大器采用了具有高線性度和寬帶匹配特性的推挽結構.后仿真結果表明,在3.3 V電源電壓下,該發(fā)射前端直流電流為76 m A,版圖面積為2.4 mm×2.0 mm;具有可控電壓增益10-30 dB;輸出1 dB壓縮點大于10.8 dBm;中頻大于25 MHz時,噪聲系數(shù)小于8 dB;基帶和射頻端口反射系數(shù)小于-20 dB,本振端口反射系數(shù)小于-15 dB.
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