摘要：采用多種電化學(xué)實(shí)驗(yàn)手段及場發(fā)射掃描電子顯微鏡(FESEM)、激光共聚焦掃描顯微鏡(CLSM)等分析技術(shù),結(jié)合活死細(xì)菌染色實(shí)驗(yàn)、點(diǎn)蝕坑深度分析等方法,以316L不銹鋼為對比,研究了CrCoNi中熵合金在含銅綠假單胞菌培養(yǎng)基中的微生物腐蝕行為。結(jié)果表明:銅綠假單胞菌能夠在CrCoNi中熵合金表面形成不均勻的生物被膜,從而降低開路電位,減小極化電阻和電荷轉(zhuǎn)移電阻,增大腐蝕電流密度;銅綠假單胞菌生物被膜在一定程度上破壞了鈍化膜,導(dǎo)致浸泡在含銅綠假單胞菌培養(yǎng)基中的CrCoNi中熵合金的最大點(diǎn)蝕坑深度(4.8μm)大于無菌培養(yǎng)基中CrCoNi中熵合金的最大點(diǎn)蝕坑深度(2.3μm)。與316L不銹鋼相比,CrCoNi中熵合金的開路電位較高,腐蝕電流密度和腐蝕速率較小,鈍化膜的修復(fù)能力較強(qiáng),在含銅綠假單胞菌培養(yǎng)基中浸泡后的最大點(diǎn)蝕坑深度小于316L不銹鋼(5.8μm)。
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