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摘要：對(duì)在不同厚度二氧化硅下刻蝕離子對(duì)懸浮結(jié)構(gòu)造成的反濺刻蝕損傷進(jìn)行對(duì)比研究，獲得了最優(yōu)防反濺二氧化硅厚度。在最小和最大刻蝕尺寸一定的情況下，硅互連引線(xiàn)上熱氧化生長(zhǎng)厚度分別為2000A°、1000A°、600A°和400A°,的二氧化硅，通過(guò)刻蝕釋放實(shí)驗(yàn)觀(guān)察刻蝕后硅引線(xiàn)和懸浮結(jié)構(gòu)背面形貌?？色@得最優(yōu)二氧化硅厚度為600A°，此時(shí)刻蝕離子對(duì)懸浮結(jié)構(gòu)背面反濺刻蝕損傷最小。