摘要：基于二維拓撲絕緣體Bi 2Te 3材料利用微納工藝制備了金屬-拓撲絕緣體-金屬(MTM)結(jié)構(gòu)的太赫茲光電探測器.器件在0.022 THz的響應(yīng)率可達2×10 3 A/W,噪聲等效功率(NEP)低于7.5×10 -15 W/Hz 1/2 ,探測率D*高于1.62 ×10 11 cm·Hz 1/2 /W;在0.166 THz的響應(yīng)率可達281.6 A/W,NEP低于5.18×10 -14 W/Hz 1/2 ,D*高于2.2×10 10 cm·Hz 1/2 /W;在0.332 THz的響應(yīng)率可達7.74 A/W,NEP低于1.75×10 -12 W/Hz 1/2 ,D*高于6.7 ×10 8 cm ·Hz 1/2 /W;同時器件在太赫茲波段具有小的時間常數(shù)(7~8 μs).該項工作突破了傳統(tǒng)光子探測的帶間躍遷,實現(xiàn)了可室溫工作、高響應(yīng)率、高速響應(yīng)以及高靈敏度的太赫茲探測器件.
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