摘要：氘氚中子源通過氘離子束轟擊氚靶片引發(fā)氘氚聚變反應(yīng),產(chǎn)生 14.1 MeV 高能中子。高能中子調(diào)控后亦可產(chǎn)生寬能譜中子場(chǎng),是先進(jìn)核能及核技術(shù)交叉應(yīng)用研究的重要實(shí)驗(yàn)平臺(tái)。作為中子源的核心部件,氚靶片由靶片基底和儲(chǔ)氚薄膜組成,其中儲(chǔ)氚薄膜的核素組成會(huì)影響氚原子密度與入射氘離子射程,最終直接關(guān)系到中子源強(qiáng)的高低。本文基于 MATLAB 和 SRIM 軟件建立氘氚中子源強(qiáng)計(jì)算模型,對(duì)比計(jì)算了不同新型儲(chǔ)氫金屬材料組成的儲(chǔ)氚薄膜(TiT2、MgT2、Mg2NiT4、VT2、LiBT4和 LaNi5T6)和不同氘離子能量對(duì)中子源強(qiáng)的影響。計(jì)算結(jié)果表明,在同等束流條件下,MgT2的中子源強(qiáng)相比 TiT2可提高 30%以上,且制備工藝較為成熟,是氘氚中子源的優(yōu)秀儲(chǔ)氚薄膜材料。
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