摘要：以180 nm互補金屬氧化物半導體(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)工藝制造的STM32微處理器為實驗對象,設計了由被測最小系統(tǒng)電路、劑量計、通訊電路和上位機組成的總劑量效應實驗條件。利用^60Co源分別在63.3 Gy(Si)?h^?1和101.2 Gy(Si)?h^?1劑量率下,對14個實驗樣品進行了在線輻照,通過數(shù)據(jù)校驗實時判斷受照樣品的功能運行狀態(tài);在227.2~855.0 Gy(Si)累積劑量范圍內(nèi),對75個實驗樣品進行了離線輻照,對比樣品受照前后的功能運行狀態(tài)。實驗結果表明:片內(nèi)FLASH存儲器是STM32微處理器中最先損傷的硬件單元;受照前后,STM32微處理器各引腳的對地阻抗以及片內(nèi)模擬數(shù)字轉換器輸出值基本無變化,功耗電流略有增加。63.3 Gy(Si)?h^?1和101.2 Gy(Si)?h^?1在線照射條件下輻照損傷劑量分別為(235.4±16.4)Gy(Si)和(197.4±13.0)Gy(Si);離線照射條件下的輻照損傷劑量介于391.5~497.6 Gy(Si)之間。
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