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具有ITO/Ti3O5薄膜結(jié)構(gòu)的高亮度AlGaInP LED

摘要：采用ITO/Ti3O5薄膜結(jié)構(gòu)作為高亮度AlGaInP LED的電流擴(kuò)展層、窗口層、電流阻擋層和增透膜層。通過在電極下形成肖特基結(jié),避免電極下方無效電流注入,提高局域電流密度。通過ITO/Ti3O5增透膜設(shè)計(jì)提升LED的光提取效率。具有該ITO/Ti3O5薄膜結(jié)構(gòu)的主波長621nm的高亮度AlGaInP LED芯片(150μm×150μm)較傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)芯片發(fā)光強(qiáng)度提升40%,20mA注入電流下,電壓均值在2.1V左右。

關(guān)鍵詞：
  • algainp  
  • ito  
  • 電流擴(kuò)展  
  • 肖特基結(jié)  
作者：
孫學(xué)智; 白繼鋒
單位：
吉林工業(yè)職業(yè)技術(shù)學(xué)院; 吉林吉林132000; 南昌凱迅光電有限公司; 南昌330000
刊名：
固體電子學(xué)研究與進(jìn)展

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固體電子學(xué)研究與進(jìn)展雜志緊跟學(xué)術(shù)前沿，緊貼讀者，國內(nèi)刊號(hào)為：32-1110/TN。堅(jiān)持指導(dǎo)性與實(shí)用性相結(jié)合的原則，創(chuàng)辦于1981年，雜志在全國同類期刊中發(fā)行數(shù)量名列前茅。