摘要：三個(gè)具有不同量子阱寬度的GaAs/AlAs多量子阱結(jié)構(gòu)樣品通過(guò)分子束外延生長(zhǎng)設(shè)備生長(zhǎng)在半絕緣的(100)p-型GaAs襯底上,并且在量子阱層結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng)過(guò)程中,在GaAs阱層中央進(jìn)行了Be受主的δ-摻雜。基于這3個(gè)結(jié)構(gòu)樣品,通過(guò)光刻技術(shù)和半導(dǎo)體加工工藝制備了相應(yīng)的兩端器件。在4~200 K的溫度范圍內(nèi),我們分別測(cè)量了器件的電流-電壓特征曲線,清楚地觀察到了重、輕空穴通過(guò)δ-摻雜Be受主GaAs/AlAs多量子阱結(jié)構(gòu)的共振隧穿現(xiàn)象。發(fā)現(xiàn)隨著GaAs量子阱層寬的逐漸減小,輕空穴的共振隧穿峰向著高電壓方向移動(dòng),這個(gè)結(jié)果和通過(guò)AlAs/GaAs/AlAs雙勢(shì)壘結(jié)構(gòu)模型計(jì)算的結(jié)果是一致的。然而,隨著測(cè)量溫度的進(jìn)一步升高,兩個(gè)輕空穴共振峰都朝著低電壓的方向移動(dòng),并且在150 K溫度下,其中一個(gè)共振遂穿峰表現(xiàn)為一種振動(dòng)模式。
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