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100nm GaN基6~18GHz低噪聲放大器的研制

摘要：基于南京電子器件研究所的100nm GaN高電子遷移率晶體管(HEMT)工藝,研制了6~18GHz寬帶低噪聲放大器。低噪聲單片電路采用了三級(jí)結(jié)構(gòu),偏置電壓為12V,電流約為70mA時(shí),在6~18GHz頻帶內(nèi)噪聲系數(shù)小于1.7dB,增益大于25dB,駐波比小于2,1 dB增益壓縮點(diǎn)輸出功率帶內(nèi)最小值約為10dBm。前兩級(jí)采用電流復(fù)用結(jié)構(gòu),降低了功耗;后級(jí)采用并聯(lián)反饋結(jié)構(gòu),改善帶內(nèi)增益平坦度。芯片尺寸為2.0mm×1.35mm。

關(guān)鍵詞：
  • 氮化鎵  
  • 寬帶  
  • 低噪聲放大器  
作者：
李建平; 吳少兵
單位：
南京電子器件研究所; 南京210016
刊名：
電子與封裝

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期刊名稱(chēng)：電子與封裝

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