摘要：在傳統(tǒng)AlGaN/GaN肖特基二極管中,陽極漏電始終是制約器件耐壓提高的一個重要因素。因此文中研究了在緩沖層中生長P型埋層并與陽極相連的AlGaN/GaN肖特基二極管結(jié)構(gòu)AC-PBL FPs SBD來抑制陽極的泄漏電流。同時,在二極管的兩級均加上場板來調(diào)制該器件的表面電場分布。經(jīng)過仿真驗證可知,該結(jié)構(gòu)的陽極關斷泄漏電流得到了有效抑制,同時輔助耗盡溝道內(nèi)的2DEG,擴大空間電荷區(qū),進而提高了器件的耐壓特性。該結(jié)構(gòu)的擊穿電壓為733 V,與傳統(tǒng)GET SBD器件相比,擊穿電壓提高了近3.4倍,Baliga優(yōu)值提升了近11.6倍,說明該器件可以應用在電力電子線路中。
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