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摘要：設(shè)計了一種應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)芯片的極低功耗電壓基準(zhǔn)源。由于漏致勢壘降低(Drain-Induced Barrier Lowering,DIBL)效應(yīng),柵致漏極泄漏(Gate-Induced Drain Leakage,GIDL)效應(yīng)及柵-漏電容饋通效應(yīng)的影響,傳統(tǒng)的基于MOS管漏電流的皮安級電壓基準(zhǔn)源雖然可以實現(xiàn)較低的溫度系數(shù),但是線性調(diào)整率及電源抑制比(Power Supply Rejection Ratio,PSRR)過低,大大限制了其在具有高電源噪聲的物聯(lián)網(wǎng)芯片中的應(yīng)用。在傳統(tǒng)的雙MOS管電壓基準(zhǔn)源基礎(chǔ)上,基于0.18μm CMOS工藝,設(shè)計了一種新型的自穩(wěn)壓五MOS管電壓基準(zhǔn)源。Spectre仿真結(jié)果顯示,0~120℃范圍內(nèi),該自穩(wěn)壓五MOS管電壓基準(zhǔn)源的平均溫度系數(shù)為39.2 ppm/℃;電源電壓1.0~2.0 V范圍內(nèi),該電壓基準(zhǔn)源的線性調(diào)整率為33.4 ppm/V;負(fù)載電容3 pF情況下,該電壓基準(zhǔn)的PSRR性能為-9 dB@0.01 Hz及-62 dB@100 Hz。另外,在該0.18μm CMOS工藝下,該電壓基準(zhǔn)的電流消耗僅為59 pA@27℃,版圖面積僅為5 400μm^2。