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摘要：利用離子束濺射鍍膜設(shè)備研究了濺射SiO2薄膜的沉積速率與工藝參數(shù)(離子束能量、離子束流、氧氣流量和靶基距)之間的關(guān)系以及薄膜均勻性修正技術(shù)。實驗結(jié)果表明:SiO2薄膜沉積速率隨著離子束能量與離子束流增加而增大,隨著氧氣流量的增加先減小后增大;采用修正板技術(shù)后薄膜均勻性明顯提高。