摘要：采用射頻磁控濺射法在玻璃上動態(tài)制備高質量的摻鋁ZnO(AZO)透明導電膜,研究了動態(tài)沉積條件下AZO薄膜的膜厚和電阻率均勻性,以及濺射氣壓對AZO薄膜結構和光電性能的影響。結果表明:在動態(tài)沉積模式下,獲得了具有優(yōu)良膜厚和電阻率均勻性;AZO薄膜在400~800nm波長范圍內的平均透過率高于90%;同時隨著濺射氣壓的增加,晶粒尺寸從47.8nm逐漸減小到41.4nm,禁帶寬度從3.46eV逐漸降低到3.40eV,電阻率先降低后上升,在0.5Pa時電阻率為最低值1.5×10^-3Ω·cm。
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