摘要：近年來(lái),單顆粒碰撞技術(shù)在納米電化學(xué)領(lǐng)域受到廣泛關(guān)注.該技術(shù)通?？刂瞥㈦姌O處于某一電位,檢測(cè)單個(gè)納米顆粒隨機(jī)碰撞到電極表面后產(chǎn)生的瞬時(shí)電流.通過(guò)分析電流信號(hào),可以研究單個(gè)納米顆粒的性質(zhì).盡管該技術(shù)可以檢測(cè)單個(gè)納米顆粒的電化學(xué)或電催化電流,但是傳統(tǒng)的單顆粒碰撞技術(shù)缺乏空間分辨率,難以識(shí)別和表征特定的納米顆粒.因此,結(jié)合光學(xué)成像技術(shù)研究單顆粒碰撞電化學(xué)來(lái)補(bǔ)充電化學(xué)技術(shù)缺失的空間信息已成為一種趨勢(shì).本文首先簡(jiǎn)要綜述了單顆粒碰撞技術(shù)的三種檢測(cè)原理,主要介紹了近年來(lái)單顆粒碰撞技術(shù)與熒光顯微鏡、表面等離激元共振顯微鏡、全息顯微鏡和電致化學(xué)發(fā)光相結(jié)合的研究進(jìn)展,最后展望了單顆粒碰撞技術(shù)未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì).
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