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基于增強(qiáng)型溝槽柵技術(shù)的高性能3300 VIGBT

摘要：采用溝槽柵結(jié)構(gòu)、軟穿通（SPT）技術(shù)和載流子存儲(chǔ)層技術(shù)研制出一款增強(qiáng)型溝槽柵型（TMOS＋）3300VIGBT芯片，其具有更低通態(tài)壓降、更高功率密度和更優(yōu)的關(guān)斷安全工作區(qū)性能。高溫（Tj=150℃）工況下，芯片的通態(tài)壓降比相同電壓等級(jí)增強(qiáng)型平面柵型（DMOS＋）IGBT的約低25％，并能安全關(guān)斷11倍額定電流；同等外形尺寸條件下，TMOS＋型IGBT模塊的電流等級(jí)（1800A）比DMOS＋型的提升了20％，可滿足更高功率容量的應(yīng)用需求。

關(guān)鍵詞：
  • 增強(qiáng)型溝槽柵  
  • 通態(tài)壓降  
  • 關(guān)斷安全工作區(qū)  
  • 功率密度  
作者：
周飛宇; 寧旭斌; Luther; Ngwendson; 肖強(qiáng); Ian; Deviny; 戴小平
單位：
新型功率半導(dǎo)體器件國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 湖南株洲412001; 株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司; 湖南株洲412001
刊名：
大功率變流技術(shù)

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