摘要：隨著功率半導體器件特別是高壓、大電流IGBT模塊的快速發(fā)展和廣泛應用，對封裝材料中的陶瓷襯板提出了更高的要求，其中可靠性是其設計中最為關鍵的指標之一。活性金屬釬焊工藝（AMB）制備的AIN陶瓷覆銅襯板因可靠性高而成為高壓大功率IGBT模塊封裝中陶瓷襯板的首選。文章對比了AMB工藝和DBC工藝制備的AIN陶瓷覆銅襯板的剝離強度和熱沖擊性能，并提出了控制TiN層厚度、增加銅箔邊緣小孔深度和增加銅箔側蝕量3種方法來提升AMB工藝制備的AlN覆銅襯板的可靠性。結果表明，可靠性提升后的AlN覆銅襯板耐熱沖擊可達到1300次、剝離強度達到18N／mm、空洞率達到0，性能優(yōu)于國外產品，滿足高壓大功率IGBT模塊封裝技術要求。
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