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大功率IGBT器件并聯(lián)均流研究

摘要:為提升器件電流等級,大功率IGBT往往由多個芯片與子單元并聯(lián)組成。當(dāng)芯片與子單元并聯(lián)時,有效控制器件內(nèi)部的均流效果非常重要。文章分析了寄生電感對器件均流的影響,并通過理論推導(dǎo)分析了芯片參數(shù)對靜態(tài)均流的影響,最后通過仿真和實驗驗證了芯片參數(shù)對動態(tài)均流的影響。結(jié)果表明,主回路寄生參數(shù)的不對稱對均流的影響大于芯片參數(shù)差異的,而兩者對開通均流的影響又都大于對關(guān)斷均流的影響。

關(guān)鍵詞:
  • igbt并聯(lián)  
  • 并聯(lián)均流  
  • igbt芯片參數(shù)  
  • 寄生參數(shù)  
作者:
余偉; 羅海輝; 鄧江輝; 周望君; 江普生; 吳煜東
單位:
新型功率半導(dǎo)體器件國家重點實驗室; 湖南株洲412001; 株洲中車時代電氣股份有限公司; 湖南株洲412001
刊名:
大功率變流技術(shù)

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