摘要：文章報道了水熱法生長Ga/Sc共摻ZnO晶體的結果。實驗以ZnO陶瓷燒結塊為培養(yǎng)料,以4mol/LKOH+1mol/L LiOH+5mlH2O2作為礦化劑,溶液中加入定量的Ga2O3和Sc2O3粉末,在尺寸為Φ70×1100mm高壓釜中,在溶解溫度T=380℃~400℃,結晶溫度T=360℃~380℃的條件下,采用溫差水熱法生長出了尺寸為50×35×5.6(c軸方向)mm3的Ga/Sc共摻ZnO單晶體。采用ICP-MS測試了晶體中Ga和Sc元素的含量。利用分光光度計測試了晶體的吸收率,從400nm波長開始,隨著波長的增大,Ga/Sc共摻ZnO晶體的吸收率比純ZnO晶體高。比較了不同溫差條件下c軸方向的生長速度,確定了合適的水熱法晶體生長的溫差條件。
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