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摘要：通過電化學(xué)和化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)實(shí)驗(yàn)研究了紫外光及催化劑對(duì)GaN電化學(xué)特性及去除速率的影響。電化學(xué)實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,采用K2S2O8作為氧化劑時(shí)GaN的腐蝕電位隨氧化劑的濃度增大而降低。在H2O2和K2S2O8體系中分別加入ZnO催化劑并進(jìn)行紫外光照射,其腐蝕電位進(jìn)一步降低,腐蝕速率加快。CMP結(jié)果顯示,在H2O2和K2S2O8拋光液體系中,紫外光的加入能有效提高GaN的去除速率;加入ZnO催化劑后,GaN的去除速率進(jìn)一步提高,當(dāng)H2O2體積分?jǐn)?shù)為3%、 ZnO的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.05%時(shí),GaN的去除速率達(dá)239.7 nm/h;當(dāng)K2S2O8體積分?jǐn)?shù)0.15 mol/L、ZnO的質(zhì)量分?jǐn)?shù)0.05%時(shí),GaN的去除速率為428.0 nm/h,此時(shí)GaN表面粗糙度為1.18 nm。紫外光照射和ZnO催化劑能夠明顯提高CMP過程中GaN的去除速率。