摘要：超薄氮化鎵(GaN)是一種厚度在納米尺度的少層GaN薄片,相對于GaN體材料,量子限域效應(yīng)會使超薄GaN的禁帶寬度增大,超薄GaN有望應(yīng)用于深紫外電子器件。通過使用微機(jī)械剝離法將制備出的少層硒化鎵(GaSe)薄片(厚度為1~10 nm)與塊狀GaSe作為前驅(qū)體,氨氣作為氮源,在管式爐中不同溫度下退火進(jìn)行氨化,得到超薄GaN及塊狀GaN。通過X射線衍射、掃描電子顯微鏡、原子力顯微鏡、光致發(fā)光光譜及拉曼光譜對氨化后樣品的形貌、成分、光學(xué)特性進(jìn)行了表征。結(jié)果表明,超薄GaN的光學(xué)帶隙比塊狀GaN大0.16 eV,拉曼光譜中的縱模光學(xué)峰也會隨著超薄GaN的厚度減小發(fā)生藍(lán)移。
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