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795nm單偏振穩(wěn)定垂直腔面發(fā)射激光器的研究

摘要:基于非對稱氧化技術(shù),引入氧化孔徑橫向光場損耗各向異性,使得TE/TM偏振光功率差進一步增加,TM偏振得到有效抑制,從而實現(xiàn)795nm垂直腔面發(fā)射激光器單偏振穩(wěn)定輸出。實驗結(jié)果顯示:當氧化孔徑為7μm×5.5μm時,不同溫度下偏振抑制比均在10dB以上,最高達到16.56dB;當氧化孔徑為20μm×18μm時,偏振抑制比也可以達到15.96dB。最終,得到偏振抑制比為16dB、水平發(fā)散角為8.349°、垂直發(fā)散角為9.340°的單偏振穩(wěn)定輸出795nm垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL),為實現(xiàn)單偏振高光束質(zhì)量VCSEL激光光源提供了實驗基礎(chǔ)。

關(guān)鍵詞:
  • 垂直腔面發(fā)射激光器  
  • 單偏振  
  • 非對稱氧化孔  
  • 濕氮氧化  
作者:
梁津; 關(guān)寶璐; 胡丕麗; 張峰; 董晨; 王菲; 王志鵬
單位:
北京工業(yè)大學光電子技術(shù)教育部重點實驗室; 北京100124
刊名:
半導體光電

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期刊名稱:半導體光電

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