摘要：基于射頻磁控濺射法制備了以非晶銦鎵鋅氧化物(a-IGZO)作為有源層的底柵頂接觸式薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Thin Film Transistor,TFT),其長(zhǎng)/寬比為300μm/100μm。研究了該器件在無(wú)激光和在三種不同波長(zhǎng)激光照射下的光敏特性。實(shí)驗(yàn)表明,器件在波長(zhǎng)分別為660、450和405nm三種激光照射下的閾值電壓Vth分別為4.2、2.5和0V,均低于無(wú)激光時(shí)的4.3V,且器件的閾值電壓隨激光波長(zhǎng)減小單調(diào)降低,此外,隨著激光波長(zhǎng)的下降,'明/暗'電流比K由0.54上升到8.06(在VGS=6V且VDS=5V條件下),光敏響應(yīng)度R由0.33μA/mW上升到4.88μA/mW,可見(jiàn)激光波長(zhǎng)越短,可獲得更強(qiáng)的光電效應(yīng),光靈敏度也更高,該效應(yīng)表明該器件在光電探測(cè)等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。
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