摘要：基于某電動汽車350MHz處的輻射發(fā)射超標(biāo)問題,介紹了針對窄帶干擾板級常用的幾種優(yōu)化措施。通過對芯片外圍所用的電容、磁珠進行選型,降低了350MHz發(fā)射強度,并采用交疊層電容拼接方法在ADUM5401隔離芯片兩側(cè)地之間構(gòu)建等效電容,350MHz干擾幅值明顯降低;最后對優(yōu)化后的電池管理系統(tǒng)部件及電池包系統(tǒng)進行了優(yōu)化效果驗證。結(jié)果表明,超標(biāo)頻段發(fā)射強度明顯降低,符合GB14023-2011的限值要求。
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